|
DSpace KNAU >
Праці вчених кафедр >
Кафедра фізики та вищої математики >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://hdl.handle.net/123456789/2706
|
| Название: | The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals |
| Авторы: | Pelikhaty. N.M.
Rokhmanov N.Ya.
Onischenko V.V. |
| Ключевые слова: | високоенергетичне випромінювання
електричний опір при опроміненні
монокристали кремнію |
| Дата публикации: | 2006 |
| Библиографическое описание: | Pelikhaty. N.M. The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals/ N.M. Pelikhaty, N.Ya. Rokhmanov, V.V.Onischenko// Functional Materials, 2006, Vol.13, No. 4. – P. 613-617. |
| Серия/номер: | фізика та вища математика; |
| Аннотация: | вивчено поведінку внутрішнього тертя і електричного опору монокристалів силіцію з низькою щільністю дислокацій у процесі юомбардування альфа-частинками. Виявлено ефект зміни прямого гістерезису на зворотний на амплітудній залежності внутрішнього тертя. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/2706 |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра фізики та вищої математики
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
