DSpace О системе DSpace
 

DSpace KNAU >
Праці вчених кафедр >
Кафедра фізики та вищої математики >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://hdl.handle.net/123456789/2704

Название: Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
Авторы: Ryzhikov V.D
Rokhmanov N.Ya.
Galkin S.N.
Gnap A.K.
Ключевые слова: radiation defects
internal friction
vacancies
Дата публикации: 2004
Издатель: V. Karazina Kharkiv National University
Библиографическое описание: Ryzhikov V.D. Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals/ V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N.Galkin, A.K. Gnap// Problems of atomic science and technology (PAST). Ser. Nucleare Phesics Investigation. – 2004, No. 2(43). - P. 180-182.
Серия/номер: physics and higher mathematics;
Аннотация: The study of radiation deffects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction and electrical resistence. At the mechanical damping meansurement a strategy of low - freguency flexible oscilation was used during the process of irradiation with a-particles. The descending curves and anomalous inverted hysteresis effect of IF versus amplitude of cyclic deformation were observed. The results were explained by the processes of ionisation by induced infra - red radiation and charged dislocation - point deffects association interaction.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/2704
Располагается в коллекциях:Кафедра фізики та вищої математики

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
6_Ryzhykov_Rokhm__.pdf200.71 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь